磁控溅射是物理气相沉积（PhysicalVaporDeposition，PVD）的一种。

原理：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。

特点

1.沉积速率大

2.功率效率高

3.溅射能量低

4.基片温度低

5.可实现大面积成膜

应用

1、磁控溅射目前是一种应用十分广泛的薄膜沉积技术,溅射技术上的不断发展和对新功能薄膜的探索研究,使磁控溅射应用延伸到许多生产和科研领域。

在微电子领域作为一种非热式镀膜技术,主要应用在化学气相沉积(CVD)或金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长困难及不适用的材料薄膜沉积,而且可以获得大面积非常均匀的薄膜。包括欧姆接触的Al、Cu、Au、W、Ti等金属电极薄膜及可用于栅绝缘层或扩散势垒层的TiN、Ta2O5、TiO、Al2O3、ZrO2、AlN等介质薄膜沉积。

2磁控溅射技术在光学薄膜(如增透膜)、低辐射玻璃和透明导电玻璃等方面也得到应用。在透明导电玻璃在玻璃基片或柔性衬底上,溅射制备SiO2薄膜和掺杂ZnO或InSn氧化物(ITO)薄膜，使可见光范围内平均光透过率在90%以上。

3、在现代机械加工工业中,利用磁控溅射技术制作表面功能膜、超硬膜,自润滑薄膜,能有效的提高表面硬度、复合韧性、耐磨损性和抗高温化学稳定性能,从而大幅度地提高涂层产品的使用寿命。磁控溅射除上述已被大量应用的领域,还在高温超导薄膜、铁电体薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜发光材料、太阳能电池、记忆合金薄膜研究方面发挥重要作用。

高真空磁控溅射镀膜机

高真空磁控溅射仪是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。

靶材背面和溅射靶表面的结合处理

-靶材和靶面直接做到面接触是很难的,如果做不到面接触，接触电阻将增大,导致离化电场的幅值不够(接触电阻增大，接触面的电场分压增大)，导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。

-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。

-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。

集成一体化柜式结构

安全性好:（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）。

占地面积小:尺寸约为：长mm×宽mm（标准办公室门是mm宽）（传统设备大约为mm×mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。

角度、距离可调

磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精准调控。

基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。

真空度更高、抽速更快

真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。

匀气技术

工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。

基片加热技术

采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。

采用计算机＋PLC两级控制系统

安全性：

-电力系统的检测与保护

-设置真空检测与报警保护功能

-温度检测与报警保护

-冷却循环水系统的压力检测和流量

-检测与报警保护

设备详情

设备结构及性能

-单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室＋手套箱

-磁控溅射靶数量及类型：1～6靶,圆形平面靶、矩形靶

-靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装

-磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容

-基片可旋转、可加热、可升降

-通入反应气体，可进行反应溅射镀膜

-操作方式：手动、半自动、全自动

设备主要技术指标

-基片托架：根据供件大小配置。

-基片加热器温度：根据用户供应要求配置。温度可用电脑编程控制，可控可调。

-基片架公转速度2~转/分钟，可控可调；基片自动速度：2~20转/分钟。

-基片架可加热、可旋转、可升降。

-靶面到基片距离30mm~mm可调。

-φ2～φ3英寸平面圆形靶2～3支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。

-镀膜室的极限真空：6x10-5Pa~6X10-6Pa，恢复工作背景真空7×10-4Pa：30分钟左右（新设备充干燥氮气）

-设备总体漏放率：关机12小时真空度≤10Pa