书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：超深熔融石英玻璃蚀刻

编号：JFKJ-21-

作者：华林科纳

引言

本文讨论了为了研究金属辅助化学腐蚀过程中腐蚀液对多晶硅的润湿性，在p型多线切割多晶硅片上制作了不同的表面结构，如切割后的硅片、抛光后的硅片和在不同溶液中腐蚀的硅片。测量晶片表面上不同蚀刻溶液的接触角。注意到所有蚀刻溶液的接触角都小于相应的去离子水的接触角，但是不同蚀刻溶液的接触角差别很大。在AgNO3-HF、H2O2-HF、TMAH和HNO3-HF蚀刻溶液的接触角中，TMAH溶液的接触角比其他溶液大得多，而HNO3-HF溶液的接触角小得多。认为较大的接触角可能导致硅片刻蚀不均匀，这是因为在刻蚀反应中大气泡在硅片上停留时间较长，应引起注意并加以克服。

介绍

由于具有纳米织构的硅表面(也称为黑硅)具有很强的陷光能力，并且可以通过减少光反射来提高太阳能电池的能量转换效率，因此表面纳米织构的制备正成为人们

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